三星推出了SD和micro SD两类的标准卡和Plus 卡新品,这些新品均为韩国原厂生产,在质量和服务上都有品牌保障。其次,产品本身具有“防水、防震、防磁”三大特性,可以保证存储设备的绝对安全,有效地保护存储信息。
三星昨晚公布了全球首款DDR 2.0 64Gb(8GB) MLC NAND Flash,这款芯片产品基于20纳米制程构建,支持400Mb的带宽,比原有的NAND产品快10倍(现有的产品还是SDR NAND,带宽40Mbps,而Toggle DDR1也只有133Mbps)。
据韩联社报道,4月上旬NAND Flash 内存价格再度上扬,创下7个月之最。据市场调查机构DRAM eXchange18日发布的统计显示,4月上旬NAND Flash (16Gb 2Gx8 MLC)合约价为3.78美元(约合人民币24.7元),比3月下旬(3.74美元)上涨1.07%,创下了7个月来的新高。
Intel与镁光公司宣布正式推出其20nm制程NAND闪存芯片产品,再一次站在了NAND闪存制造技术的最前沿。这款产品将由两家公司的合资公司IMFT进行生产。新的20nm制程将用于生产8GB容量的MLC NAND闪存设备。
东芝公司今天发布了全新的24nm SmartNAND闪存芯片,属于嵌入式MLC NAND闪存,同时还整合控制器可以支持ECC错误校验等功能。