IBM的研究人员们近日再次得出丰硕成果,攻克了相变存储(PCM)的一大难题:多位封装。
Intel近日向其客户发出通知,历史悠久的X25-E系列企业级固态硬盘将从7月11日起进入停产退市过程,为即将发布的新款710系列让路。
为了迎合新一代智能手机的存储需求,三星近日正式发布了Class10性能级别的microSDHC存储卡,容量高达32GB,可以提供最高24MB/s的读取速度和12MB/s的写入速度。
海盗船近日发布了全新的Force GT系列固态硬盘,耀眼的红色外壳,而且采用了全新的SandForce SF-2280主控芯片,具备SATA6.0Gbps接口。
继OCZ、海盗船、威刚、金士顿等众多公司先后推出基于SandForce SF-2200主控的产品之后,博帝的Wildfire野火系列固态硬盘也正式亮相,采用SATA6.0Gbps接口,最大读写速度可以分别达到555MB/s和520MB/s。
DDR3花了足足三年的时间才完成对DDR2的取代,而下一代内存DDR4的野心就大多了:虽然要到2014年才会正式登场亮相,但是次年就要占据半壁江山,成为新的主流规格。
作为2010年最热门的固态硬盘主控方案,SandForce在2011年推出的SF-2000系列主控上,给了OCZ一段不短的独占期。直到年中左右,来自其他厂商的SF-2000系列产品才逐步推向市场。今天,又一家厂商的SF-2000系列主控产品出炉,它就是来自Super Talent的TeraDrive PT3系列。
宇瞻科技旗下知名的Ares系列内存近日新增了8GB双通道套装型号,但频率依然达到了2133MHz,是专门面向英特尔P67/Z68平台设计。
追求大容量硬盘的本本用户看过来:来自三星的全球第一款厚度为标准9.5毫米的1TB笔记本硬盘已经上市开卖了。
2011年第三季度全球硬盘需求量预计最高可达1.8亿块,但是五大硬盘厂商最多只能提供1.6-1.65亿块,也就是说会存在1500-2000万块的巨大缺口,相比第二季度的1000块又增加了不少,而且今年年内是不太可能补上了。
日立环球存储旗下品牌G-Technology今天发表新品:支持Wi-Fi的移动硬盘“G-CONNECT”,将于7月在美国上市,价格199.99美元。日本上市时间预计在2011年第四季度,容量500GB。
OCZ今天发布了一款全新的企业级固态硬盘产品Deneva 2,采用eMLC闪存芯片,搭载SandForce SF-2000系列主控。
果粉们一定知道Time Capsule这个用于数据备份的网络硬盘,现在它将要推出3TB的版本了。当然除此之外,现有的1TB版本将停止发售,2TB版本将调低价格。
SanDisk今天发布了收款企业级存储解决方案,隶属于Lighting系列,采用SAS 6.0Gbps接口。
全球市场上的传统机械硬盘价格已在低位运行多时,如今大家已经相当习惯于用“白菜价”购买动辄1TB、2TB乃至3TB的大容量硬盘产品。不过根据台湾媒体从当地硬盘零配件厂商得到的消息,全球HDD硬盘市场可能在下半年呈现供不应求的缺货状况。
高效能固态硬碟厂商OCZ美商饥饿鲨,与中国大陆代理商430showcase正式宣布在中国大陆境内所销售的产品将实行全免费的保修更换服务。免费服务包括技术支持,产品检测以及通过专属合作物流,提供免费的上门换新服务,为客户免去后顾之忧。
在我们的印象中,能够通过Intel XMP认证的内存,几乎无一例外都是台式机内存中的神条,但今天我们就看到了金士顿的HyperX 4GB笔记本内存通过了Intel的XMP认证,而且频率高达2133MHz,可以说这是目前笔记本内存之中的最高频率了。
Rambus声名狼藉,不过在技术方面的确是有自己的一套。在东京召开的2011年超大规模集成电路讨论会上,Rambus就宣布了一种突破性的快速加电、低功耗时钟技术,有望为内存设备带来全新的面貌。
OWC今天展示了一款采用6Gbps SATA 3.0接口的SSD,得益于强大的接口速度和SandForce最新主控芯片,它的读写速度分别达到556MB和523MB每秒
威刚S511系列固态硬盘近日正式出货,该系列产品采用了SandForce SF-2281主控,SATA6.0Gbps接口。
首先是SSD 710系列,开发代号Lyndonville,2.5寸规格,采用25nm新工艺的HET MLC NAND闪存新品,容量增至100/200/300GB,缓存容量翻两番64MB,接口还是SATA 3Gbps,新增技术包括AES-128加密、Power Safe Write Cache(供电安全写入缓存)、In-Rush Limiter(浪涌限制器)、Temp Se
日本尔必达公司近日宣布成功开发出了DRAM业界首款使用HKMG技术的2Gbit密度LPDDR2 40nm制程级别DRAM芯片产品。HKMG技术即指晶体管的栅极绝缘层采用高介电常数(缩写为high-k即HK)材料,栅电极采用金属材料(Metalgate即MG)。采用这种技术的晶体管可减小栅漏电流并提升晶体管