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IBM实现PCM内存技术突破比闪存快百倍

IBM研究院的科学家实现了内存技术的突破，开发出多位相变存储器（PCM）。这种技术可在单个存储单元中长期稳定存储多数据位，速度比当前普遍使用的闪存快100倍，为开发低成本、速度更快、更耐用的内存铺平了道路。

标签： IBM| PCM| 内存| 闪存| 2011-07-05
新技术比闪存快10倍的PCM技术解析

长久以来，人们一直都在寻找磁存储的替代品。闪存的横空出世在某种程度上解决了磁存储不够灵活的问题，但是随之而来的问题是，闪存（Flash Memory）的读写性能却无法与磁盘相比，于是人们在闪存的基础上提出了“快速闪存”的概念——读写速度比当前闪存快10倍的一种存储技术

标签：新技术比闪存快10倍的PCM技术解析| 评测| 新品| 内存| PCM| 2008-03-13

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