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中科院：计算光刻技术取得重大进展

近日，中科院上海光学精密机械研究所信息光学与光电技术实验室提出一种基于虚拟边（Virtual Edge）与双采样率像素化掩模图形（Mask pixelation with two-phase sampling）的快速光学邻近效应修正技术（Optical proximity correction, OPC）。仿真结果表明，该技术具有较高的修正效率。

标签：中科院| 光刻技术| 2021-06-11

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