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三星第9代V-NAND QLC产品启动量产带来更大容量选择

三星宣布启动第9代V-NAND闪存当中1Tb容量的QLC闪存，进一步巩固了三星在高容量、高性能NAND闪存市场中的地位。

标签：三星| V-NAND| NAND| QLC| 闪存| 2024-09-12
三星第9代V-NAND闪存明年量产堆叠超300层

三星准备明年开始生产第9代V-NAND技术的产品，将超过300层，并将继续沿用双堆栈架构。

标签：三星| V-NAND| 闪存| 2023-08-18
三星已量产第8代V-NAND闪存使SSD最高速超12GBps

三星电子日前宣布，已经开始大规模生产其236层3D NAND闪存芯片，可带来2400MTps的传输速度。

标签：三星| V-NAND| 闪存| 固态硬盘| 2022-11-07

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